作為一種重要電子原料,氧化銦錫靶材有著很好的特性。但是大家對氧化銦錫靶材的具體特點了解嗎?氧化銦錫靶材真的有毒嗎?下面南京皮埃路電子技術有限公司就給大家介紹一下氧化銦錫靶材的相關信息,希望能夠幫到大家。
氧化銦錫(ITO,或者摻錫氧化銦)是一種銦(III族)氧化物(In2O3) 和錫(IV族)氧化物(SnO2)的N型氧化物半導體,通常質量比為百分之90In2O3,10 SnO2。它在薄膜狀時,透明,略顯茶色。在塊狀態時,它呈黃偏灰色。世界衛生組織國際癌癥研究機構公布的致癌物清單初步整理參考,氧化銦錫在2B類致癌物清單中。
氧化銦錫主要的特性是其電學傳導和光學透明的組合。然而,薄膜沉積中需要作出妥協,因為高濃度電荷載流子將會增加材料的電導率,但會降低它的透明度。氧化銦錫薄膜通常是物理氣相沉積、或者一些濺射沉積技術的方法沉積到表面。因此氧化銦錫薄膜質量的好壞和靶材的質量具有密切的相關性。
本文以南京皮埃路電子技術有限公司生產的ITO陶瓷靶材為例為大家介紹一下陶瓷靶材工藝。
1. 陶瓷靶材制備方法:采用百分之99.9純度In2O3、百分之99.99純度SnO2,按化學計量比配料,球磨混合均勻,在大于1300度下通過常壓燒結制備靶材。
2. 陶瓷靶材規格:單一結構相;直徑20至50毫米,厚度3至6毫米,價格≥2千元。
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皮埃路電子自成立以來,始終秉承客戶至上,質量至上的理念,根據客戶的要求生產穩定可靠的靶材產品,皮埃路電子技術有限公司是南京政府321項目資助的高科技公司,由新加坡南洋理工大學、南京理工大學、南京航空航天大學和南京大學的幾位教授負責技術指導。我們樂意為大家定制高純、高密度的濺射靶材,方便您進一步通過磁控濺射、脈沖激光沉積(PLD)系統制備高質量的薄膜。
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